(单选题)1: 全控型电力电子器件有（    ）。
A:  Power Diode、P-MOSFET、SIT、IGBT
B: P-MOSFET、IGBT、GTR、GTO
C: SITH、MCT、Thyristor、GTO
D:  IGCT、GTO、TRIAC、IPM


(单选题)2: 三相半波可控整流电路，晶闸管的电流平均值是（        ）。
A:
B:
C:
D:


(单选题)3: 三相交-交变频电路主要有两种接线方式。
A: 三相三线制方式和三相四线制方式
B: 高阻方式和低阻方式
C: 串联方式和并联方式
D: 公共交流母线进线方式和输出星形联结方式


(单选题)4: 三相半波共阴极组可控整流电路，自然换相点是（    ）。
A: 三相电源的过零点
B: 三相电源相电压正半周波形的交点
C: 三相电源相电压负半周波形的交点
D: 三相电源线电压负半周波形的交点


(单选题)5: 可关断晶闸管三个电极分别为(                        )。
A: 发射极，基极，集电极；
B: 第一基极，发射极，第二基极；
C: 源极，栅极，漏极；
D: 阴极，门极，阳极。


(单选题)6: 三相桥式变流电路，各开关管的导通顺序是（     ）。
A: VT1-VT3-VT5-VT4-VT6-VT2
B: VT1-VT4-VT3-VT6-VT5-VT2
C:  VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6


(单选题)7: 三相半波可控整流电路，变压器副侧绕组的电流有效值I2是（    ）。
A:
B:
C:
D:


(单选题)8: 三相半波可控整流电路一共有（    ）只晶闸管。
A: 1
B: 2
C: 3
D: 4


(单选题)9: 晶闸管是（                         ）。
A: 四层三端器件
B: 三层四端器件
C: 四个PN结的器件
D: 电压驱动型器件


(单选题)10:  功率晶体管三个电极分别为(                          )。
A: 发射极，基极，集电极；
B: 第一基极，发射极，第二基极；
C: 源极，栅极，漏极；
D:  阴极，门极，阳极。


(判断题)11: 单相桥式全控整流电路，阻感性负载，α=90°时Ud=0。
A: 错误
B: 正确


(判断题)12: 把逆变电路的输出接到交流电源上，把经过逆变得到的与交流电源同频率的交流电能反送回电源，称为有源逆变。
A: 错误
B: 正确


(判断题)13: GTR存在二次击穿现象。
A: 错误
B: 正确


(判断题)14: 共阳极组变流电路，逆变电压正半波大于负半波。
A: 错误
B: 正确


(判断题)15: P-MOSFET分为N沟道型和P沟道型。
A: 错误
B: 正确


(判断题)16: 三相交流调压电路可以接成三相三线制电路。
A: 错误
B: 正确


(判断题)17: 降压式直流斩波器，输入电流连续，输出电流连续。
A: 错误
B: 正确


(判断题)18: 单相桥式半控整流电路，阻感性负载带续流二极管，α=90°时Ud=0。
A: 错误
B: 正确


(判断题)19: 晶闸管的维持电流通常小于擎住电流IH<IL。
A: 错误
B: 正确


(判断题)20: 共阳极组变流电路，逆变电压负半波大于正半波。
A: 错误
B: 正确

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